DDDD


Операциялық күшейткіш. Оның белгіленуі және негізгі параметрлері.
34029651744345Операциялық күшейткіш (ОК) – үлкен күшейту коэффицентіне ие, дифференциалды кірісі бар тұрақты тоқ күшейткіші. Схемаларда қолданғанда операциялық күшейткіш әрқашан теріс кері байланыспен қолданылады. Бұл жоғары үлкен күшейту коэффиценті дәл есептеп отыруға мүмкіндік береді. Белгіленуі:
V+ - инверттемейтін кірісі
V- - инверттейтін кірісі
Vs- - қорек көзінің минусы
Vs+ - қорек көзінің плюсы
Vout – шығыс сигнал

Идеалды операционды күшейткіш келесідей теңдеуді қанағаттандырады:
Vout = A*( V+ - V- ) = A * Uд
Бұл жердегі:
А − операциялық күшейткіштің кері теріс байланыссыз күшейту коэффиценті .
Uд – дифференциалдық кернеу
Идеал ОК негізгі параметрлері:
Өте жоғары кіріс кедергі. R →∞
Өте жоғары күшейту коэффиценті. А→∞
Өте аз шығыс кедергі R→ 0
Ығысы тоғы
Шың өмірде операциялық күшейткіштер кіріс кедергісі шексіздікке емес, 1 МОм мен 1 ТОм арасында, ал күшейту коэффиценті А, 10000 ғана тең. Және келесідей үш каскадта жиналады, бірінші каскад кіріс кедергіні арттыру үшін, екінші күшейту коэффицентін арттыру үшін, үшінші шығыс кедергіні кеміту үшін:
ОК
Бастапқы
күш.каскад
Негізгі
күш.каскад
Соңғы
күш.каскад



Және де іс жүзінде ОК жоғары жиілікте өз қасиеттерін жоғалта бастайды.
ω0


2.Операционды күшейткіш негізіндегі инверттемейтін күшейткіш.
3161665-5715Инвертемейтін күшейткіш - кернеуді күшейтетін, күшейту коэффиценті бірден үлкен операционды күшейткішті жалғау схемасы.
1840230381000Шығыс кернеуді сипаттауға келесі формуланы қолданамыз:
Кіріс кедергісі Zin=∞. Алайда практикада ол 1МОм ға тең. Бұл жерден :
203136513970
Инверттеуші кірісіне кернеу бөлгіштен кернеу беріледі. Және күшейту коэффицентің де кернеу бөлгіш белгілейді.
75057023281
3.Операционды күшейткіш негізіндегі инверттейтін күшейткіш.Инверттейтін күшейткіш – терістеп, кіріс кернеуді күшейту коэффицентіне көбейте отырып күшейтетін тізбек. Жалпы келесі түрде бейнеленеді және бұл жердегі:
Rf – кері байланыс кедергісі
338391535560Rin – кірістегі кедергі
Бұл жердегі шығыс кернеу:
Uout=-UinRfRin63555245
I1=-I2 I1+I2-Iы=0
I1=Uk-UdR1 I2=Uш-UdR2
Ud→0 UkR1+UwR2=0
Uш=-U2R2R1=-R2R1Uk K=-R2R14.Инверттейтін сумматор
Бұл схеманың жұмысы атына дәл сәйкес келеді. Инверттейтін сумматор кернеулердің алгебралық қосындысының таңбасын өзгертеді. Ол қалай орындалатынын түсіну үшін келесі схемаға көз салайық. Схемада кіріс кедергілерін кері байланыс кедергісіне тең деп алайық.

Кирхгоф заңы бойынша, i1+i2=io.cЕгер Ud≈0 болатындай, кері байланыссыз күшейту коэффициенті өте үлкен болса, онда i1=U1R, i2=U2R, io.c=UwR. Енді осыларды жоғарыдағы теңдеуге қойсақ:
U1R+U2R=-UwR U1+U2=-UwДәл осындай талдауды n кіріс санына да жүргізуге болады, сонда:
Uw=-(U1+U2+…+UnЕгер кіріс кедергілері мен кері байланыс кедергісі өзара тең болмаса, яғни R1≠R2≠R3≠Ro.c, онда:

Егер n кіріс болса:
Uw=-Ro.cUnRnҚосып-алу схемасы. Баланс шарты.
-25401195070Қосып-алу схемасы − инверттейтін және инверттемейтін сумматордың қасиеттерін бір операционды күшейткішке біріктірген тізбек. Ол жалпы келесі теңдеумен сипатталады:

Және ол келесідей бейнеленеді:
Бұл тізбек үшін баланс шарты:
Ro.cR1+Ro.cR2=Ro.c'R1+Ro.c'R2Суммалаушы тізбектердін қалыпты жұмыс істеуі үшін, және кернеу ығысуын болдырмау үшін баланc шарты орындалу қажет.
129730589626
Яғни инверттейтін және инверттемейтін кірістеріндегі күшейту коэффиценттері өзара тең болуы қажет.
Егер тең болмаған жағдайда, қосымша кедергі қосу арқылы баланс келтіруге болады:

5.Инверттемейтін сумматор
Инверттемейтін сумматор - инверттемейтін күшейткіш секілді кіріс кернеуді күшейтіп қана қоймай, кіріс сигналдарды суммалайды. Әр кіріс сигналға белгілі бір коэффентке көбейте отырады. Түйінге түйіскен кернеу көздерден ол қосынды алады, сондықтан да ол сумматор болып аталады.3602990168275 Шығыс кернеуді сипаттайтын негізгі теңдеу:
Uw=Ro.ci=1nUnRnЖоғарыдағы тізбек үшін баланс шарты:
Ro.cR1=Ro.c'R1'+Ro.c'R2'6.Алгебралық теңдеулер жүйесін шешу схемалары.
Математикадағы алгебралық теңдеулерді шешуге операциялық күшейткіштер негізінде жиналған тізбекті қолдануға болады. Тізбек өз құрамына инверттемейтін және инверттемейтін сумматорларды қосады. Теңдеуді шешу үшін біз кіріс мәндермен жұмыс істей отырып, теңдеудің әр бөлігін шешіп, толық жауапты тапсақ болады.
Мысалы келесі мысалдан көрсек болады:
20y-x-50=030x-60y+120=0→x=20y-50y=0.6x+2:10 → x=2y-5y=0.05x+0.2 → x үшін

У үшін:

y=--R5R4x+R5R6ε2
R5R4=0.05; R5R6=1
x=--R2R1y+R2R3ε1
R2R1=2; R2R3=1


7. Масштабтық коэффициентпен суммалайтын схемалар
Егер сумматордың кірісіне әртүрлі шамадағы кернеулерді қолдану керек болса, онда масштабтық коэффициентпен суммалайтын сумматор қолданамыз. Егер ығысу тоғы өте аз болса, онда Кирхгоф заңы бойынша
1975739416560I1+ I2+ I3= Iос
444096265191635923986519161975739651688Егер Uд= 0 кезінде күшейту коэффиценті жеткілікті түрде үлкен болса онда,
281116667310
және,
217343984455
2165350418897Uвых байланысты шешетін болсақ:
Немесе жалпы түрі:
2033905180137
8.Интегратор
3663154851535Интеграторлар - электрлік кіріс сигналдарды уақыт бойынша интегралдауға арналған тізбек. Кіріс сигнал шамасы жалпы түрде келесідей бейнеленеді:
Uвх(t)= Uвых(0) + K Uвx(t)dt
К – пропорционалдылық коэффициенті, Uвых(0) бастапқы уақыт мезетіндегі шығыс сигнал шамасы.
Және ең қарапайым сызықты интегралдаушы тізбек ретінде біз RC элементтерден тұратын төртполюстікті алсақ болады.
1506220176151
Операциялық күшейткішпен:
632934302156
19361153879855525161болса, Q = CU. Онда конденсатордан өтетін тоқ,
Ал егер операциялық күшейткіш идеалдыға жақын болса, онда Ir= Ic, және
18027651905
1593215427990Болса, онда Uc= - Uвых екендігін біле отырып біз:
Екендігін табамыз да, соңғы теңдеуге келеміз:
1802765196851355090760038
9.Айырымдық интегратор. Үшрежимді интегратор.
Екі сигналдың айырымдарының интегралын алу үшін келесідей схема қолданылады:

Тізбектің жақсы жұмыс істеу үшін резисторлар мен конденсаторлар дұрыс таңдалуы шарт.
Үшрежимді интегратор. Кез келген интегратор көп уақыт аралығында жұмыс істеу кезінде бастапқы жағдайға келтіруді талап етеді. Тағы да, шығыс сигналды қандай да бір уақытқа тоқтату мүмкіншілігі болса да жақсы болар еді, өйткені бірден бірнеше көзден мәндерді оқу кезінде қажет уақыттай тоқтату қажет болады. Келесі тізбекте көрсетілген интегратор тек интегралдап қана қоймай, керек моментте бастапқы қалыпқа келтіруді, және шығыс сигналды ұстап -22168832485тұру мүмкіншілігін жүзеге асырады:
11.Қос интегралды орындайтын схемалар. Интегратордың кіріс тізбегі ретінде Т-тәрізді төменгі жиілікті фильтрді, ал кері байланыс тізбегінде Т-тәрізді жоғарғы жиілікті фильтрді қолдана отырып, қос интегралдауды орындауға болады. Қос интегралды орындайтын схема:

Қос интегратордың шығысынан алынатын шығыс кернеуі мынаған тең:
Uвых=-[4RC2]U1dt
Бұл схеманы мынадай түрдегі дифференциалдық теңдеулерді шешуде қолдануға болады:
d2xdt2+ax=f(t)Егер қос интегратордың шығысын кірісімен жалғасақ, онда фазаығыстырғыш тізбегі бар генератор алынады, оның жиілігі: f=12πR(C2)
12. Дифференциатор.
Ең қарапайым RC элементінен жасалған дифференциатор үшін
Uout = RIR = RIC = RC(dUC /dt)


Операциялық күшейткішті пайдаланып дифференциаторды алу схемасы.

Идеалды ОК Кирхгоф заңы бойынша токтардың теңдігін береді
 IR = - IC 
Операциялық күшейткіштің кірісіндегі кернеулер нөлге тең. Сондықтан: Uout = UR = - Uin = - UC .Ом заңына сәйкес:
Uout = RIR = - RIC = - RC(dUC /dt) = - RC(dUin /dt)
Осы жерден  Uout  кіріс кернеуінің өзгеру жылдамдығы секілді dUin /dt  конденсатор заряды туындысына пропорционал,.
 RC уақыт өлшемі бірге тең болғанда шығыс кернеуі кіріс кернеуінің туындысына тең болады, бірақ таңбасы қарама-қарсы болады. Осыдан байқайтынымыз бұл схема кіріс кернеуін дифференциалдайды және инверттейді. Ал тұрақты санның туындысы нөлге тең , сондықтан дифференциалдаған кезде шығысындағы тұрақты құраушы болмайды.
Дифференциатордың үшбұрышты кіріс сигналына әсері:

13. Айырымдық дифференциатор.
Дифференциаторды дифференциалдық кірісте пайдалануға болады оның шығыс сигналы мынаған тең:



14. Дифференциалдық теңдеулер жүйесін шешу схемалары

Дифференциаторлар мен интеграторлар схемаларын қарапайым дифференциалдық теңдеулерді шешуге қолдануға болады. Мысалы, бізге келесі дифференицалдық теңдеуді шешу керек болсын:
x+w02x=0Жалпы, бұл теңдеудің шешімі x=Asin(w0t+φ) екендігі белгілі.
Бұл дифференциалдық теңдеуді шешу үшін y=x айнымалсыны енгіземіз. Сонда бастапқы теңдеу мына түрге келеді:
у+w02x=0Сонда біз мынадай теңдеулер жүйесін аламыз:
x=yy+w02x=0→ x=ydty=-w02xdtЯғни: x=-1R1Cydty=-1R2Cxdt1R1C→11R2C → w02
15. Логарифмдік түрлендіру схемалары. Көбейткіш.
Логарифмдік сипаттамасы бар түрлендіргіш алу үшін сондай сипаттамасы бар элементтермен жұмыс жасау керек. Логарифмдік сипаттамаға ие элемент ретінде диодты қарастыруға болады . Жартылай өткізгіш диодтағы ток мәні:

Ортақ базамен жалғанған транзистор коллектор тогы үшін былай жазуға болады:

Енді логарифматордың схемасына келсек:



Бейсыздық элемент ретінде транзистор пайдаланылған логарифмдік күшейткіш.
Антилогарифмдік күшейткіш схемасы:


Егер экспонентадан логарифм алсақ, антилогарифм аламыз. Логарфимдеу тізбегін кіріс ретінде қолданып, экспоненциалды сипаттағы қондырғы аламыз. Ik=Iэ0eqUБЭ/kt және Uш=Ro.cIo.c=-Ro.cIkекендігін ескеріп, мынаны аламыз:

Егер транзисторды диодпен алмастырсақ:

Логарифматор және антилогарифматор схемаларын қолданып, кернеулерді көбейту схемаларын жинауға болады:


16. Шалаөткізгіштер физикасы. Ферми деңгейі. Шалаөткізгіштік материалдар.
Шала өткізгіштер дегеніміз токты өткізетін материалдар мен диэлектриктердің арасындағы тек қандай да бір жағдайда ток өткізетін материалдар. Олардың 2 түрі бар : Табиғи шалаөткізгіш және қоспалы шалаөткізгіш. Табиғи шалаөткізгіш ретінде Si қарастыра аламыз.
Таза күйінде Si және Ge диэлектриктік қасиеттерге иеленеді, бірақ олардың өткізгіштігі аз мөлшерде (шамада) қоспаларды енгізсе түпкілікті өзгереді.

Суретте Ge-дің (кристалл торының) моделі, оның бір атомын As (күшән) атомымен орынбастырылған. Міне осы As-атомды қоспа дейді. Күшәннің (As-тің) сыртқы орбитасында 5 электрон, сондықтан Ge-кристалына “тұрғанда” оның бір электроны еркін болып қалады. Бұл артық электрон өте қозғалғыш, сондықтан потенциалдар айырымы пайда болғанда ток тасымалдаушы бола алады. Еркін электрондар санын (мөлшерін) шалаөткізгіш ішіне енгізілетін қоспа атомдар санын өзгертіп бақылауға (тексеруге) болады. Қоспаларды шалаөткізгіштерге енгізгенде еркін электрондар пайда болса – бұл шалаөткізгіш енгізілген қоспа донор деп аталады, ал шалаөткізгішінің өзі қоспалы шалаөткізгіш деп аталады.
Донор қоспасы бар шалаөткізгіштерде өткізгіштік еркін электрондармен сипатталады да, бұндай шалаөткізгіштерді n-типті (negative) деп атайды.
Егер шалөткізгіш–кристалл торы ішіне сыртқы қабаттарыда үш электрон болатын, мысалы Бор, Индий атомдарын енгізетін болсақ, электронның жоқтығы кристалл ішінде кемтіктің пайда болуына келтіреді. Сырттан түсірілген кернеу бұндай шалаөткізгіштерде электрондардың оң таңбалы түйіспеге , ал кемтіктердің теріс таңбалы түйіспе жағына қозғалысына келтіріледі. Кемтіктердің қозғалысын да ток ретінде қарастыруға болады. Шалаөткізгіштерді р-типті (positive) деп, ал қоспаларды акцепторлар деп атауға келіскен.
Жоғарыда қарастырылған негізгі заряд тасушылармен қатар (бұлар шалаөткізгіш ішіне қоспаларды қосқанда пайда болады дедік) кәдімгі қыздыру әрекетінен пайда болатын еркін электрондар (оларды негізгі емес заряд тасушылар деп атайды) да токқа үлесін қосады.
Ферми энергиясы бұл T=0 K абслоюттік нөл температура кезінде барлық бөлшектер жүйесінің энергетикалық күйлері осы энергиядан төмен болғанда бос емес, ал жоғары болса бос болатын энергия мәні. Ферми деңгейінің мағынасы мынада: кез келген температурада электрондармен толуы ½-ге тең. Ферми деңгейінің орналасуы қатты денедегі электрондардың күйлерінің негізгі сипаттамасы болып табылады. Кванттық теорияда энергетикалық күйдің электрондармен толу ықтималдылығы былай анықталады:
F(E) =1/(e(E-EF)/kT+1),
Мұндағы, Е — толу ықтималдығы анықталып отырған энергия деңгейі
Т — абсолюттік температура;
k – Больцман тұрақтысы
Шала өткізгіштерде өте төмен температураларда Ферми деңгейі өткізгіштік зонаның төменгі бөлігі мен валенттік зонаның жоғарғы жағының арасында жатады. Донорлы шала өткізгіштер үшін, яғни n-типті өткізгіштер үшін, Ферми деңгейі өткізгіштік зона мен донорлық деңгейдің аралығында орналасады. Температура жоғарылаған сайын донорлық күйдің электрондармен толу ықтималдылығ азаяды да, Ферми деңгейі төмен жылжиды. Жоғары температураларда Ферми деңгейі тыйым салынған зонаға ұмтылады. Осындай құбылыстар p-типті шала өткізгіштерде де байқалады.
17. p және n типті шалаөткізгіштер.  p – n өткелі және оның вольт – амперлік сипаттамасы.
Электронды-Кемтіктік Ауысу, p–n-ауысу – монокристалл жартылай өткізгіштерге легирлеуіш қоспа араластырғанда қоспалық электрондық өткізгіштердің (n-типтес) қоспалық кемтіктік өткізгіштік (p-типтес) пайда болатын аймақ (облыс). Жартылай өткізгіштердің p-немесе n-аймақтарында көлемдік электр зарядтары түзіледі. Осы электр зарядтарының электр өрісі, p-не n-аймақтары арқылы негізгі ток тасушылардың өтуіне (яғни өткізгіштік электрондардың n-аймағынан p-аймағына қарай, ал кемтіктердің кері бағытта өтуіне) кедергі жасайды. Сондықтан сол шекарада негізгі ток тасушылар үшін жапқыш қабат дейтін қабат түзіледі. Сыртқы электр өрісінде Э.-к. а. бір жақты (вентильді) өткізгіштік қасиетке ие болады (яғни ол p-аймағынан n-аймағына қарай жүретін токты өткізеді де, ал кері бағытта жүретін токты іс жүзінде өткізбейді). Э.-к. а. әр түрлі жартылай өткізгіштік приборларда (мыс., түзеткіш диодта, транзисторларда, т.б.) кеңінен қолданылады.Төмендегі суретте көрсетілген құрылымның жартысы (оң жақтағы делік) n-типті қоспамен легирленген , ал екінші жартысы p-типті қоспамен. Р-n ауысудың шекарасында кемтіктер n-типті қабатқа, ал электрондар р-типтіге ұмтылады да, еркін тасушыларсыз аймақ пайда болғанға дейін, яғни тасушылар тепе-теңдігі орын алғанға дейін қозғалыста болады. Пайда болған еркін тасушыларсыз аймақ кедейленген қабат деп аталады да, диэлектриктер қасиеттерін сақтайды.


Кедейленген қабаттағы зарядтың өсуі – бұл ішкі эффект, яғни p-n ауысудың шеттеріндегі потенциалдар айырымының өзгеруі бақыланбайды. Бірақ егер р-қабатқа оң потенциал, ал n-қабатқа – терісін (төмендегі суретте көрсетілгендей) түсірсек, кеміктер p-n ауысу арқылы р-қабаттан n-қабатқа қарай, ал электрондар n-қабаттанр-қабатқа ұмтылады.
p-n ауысудың вольт-амперлік сипаттамасы.
18. Диодтар. Қолдану мақсаты мен дайындау тәсілдері бойынша диодтардың классификациясы

Шалаөткізгіш диод (орыс. Полупроводниковый диод) — бір электронды-кемтікті өткелі (р — n өткелі) немесе Шоттки өткелі (металл-шалаөткізгіш түйіспесі) бар екіэлектродты шалаөткізгіш аспап. Көбіне өткелдің бір жақты өткізгіштігі пайдаланылады және шалаөткізгіш диод тұрақты ток немесе төменгі жиілікті айнымалы тізбегіндегі әрекеті оның вольт-амперлік сипаттамасы бойынша анықталады. Шалаөткізгіш диодтың бір жақты өткізгіштігі мен вольтамперлік сызықты емес сипаттамасы түзеткіштік, детекторлық, түрлендіргіштік диодтарда пайдаланылады. р — n еткелінің тесіліп-ойылуына байланысты құбылыстар негізінде стабилитрондар, ағынды-үшпалы-диодтар жұмыс істейді. Варикаптың жұмысы негізінде р — n өткелінің тосқауылдық сыйымдылығы пайдаланылады. Концентрациясы жоғары шалаөткізгіштегі р- n өткелінде пайда болатын туннельдік эффект, туннельдік және қайтарылған диодтарда қолданылады. Конструкциясы жагынан Шалаөткізгіш диодтың негізгі екі тобы бар: жалпақ және нүк телік. Жасалу технологиясы бойынша диодтар балқыма, диффузиялық, планарлық және т.б. болып белінеді.
Диодтар пайдаланылуына байланысты былай классификацияланады: жоғарғы сапалы, стабилитрон, варикаптар, туннельді, фотодиодтар, шум генераторлары, магнитодиодтар, жарықшағылдырушы
Түзеткіш ,Универсалды,импульсті,
стабилитрон и стабисторлар
туннельді
арнаулы
варикап
19. Диод түрлері. Диодтардың жалпы қасиеттері мен параметрлері. 

Шалаөткізгіш диод (орыс. Полупроводниковый диод) — бір электронды-кемтікті өткелі (р — n өткелі) немесе Шоттки өткелі (металл-шалаөткізгіш түйіспесі) бар екіэлектродты шалаөткізгіш аспап. Көбіне өткелдің бір жақты өткізгіштігі пайдаланылады және шалаөткізгіш диод тұрақты ток немесе төменгі жиілікті айнымалы тізбегіндегі әрекеті оның вольт-амперлік сипаттамасы бойынша анықталады. Шалаөткізгіш диодтың бір жақты өткізгіштігі мен вольтамперлік сызықты емес сипаттамасы түзеткіштік, детекторлық, түрлендіргіштік диодтарда пайдаланылады. р — n еткелінің тесіліп-ойылуына байланысты құбылыстар негізінде стабилитрондар, ағынды-үшпалы-диодтар жұмыс істейді. Варикаптың жұмысы негізінде р — n өткелінің тосқауылдық сыйымдылығы пайдаланылады. Концентрациясы жоғары шалаөткізгіштегі р- n өткелінде пайда болатын туннельдік эффект, туннельдік және қайтарылған диодтарда қолданылады. Конструкциясы жагынан Шалаөткізгіш диодтың негізгі екі тобы бар: жалпақ және нүк телік. Жасалу технологиясы бойынша диодтар балқыма, диффузиялық, планарлық және т.б. болып белінеді.
Диодтар пайдаланылуына байланысты былай классификацияланады: жоғарғы сапалы, стабилитрон, варикаптар, туннельді, фотодиодтар, шум генераторлары, магнитодиодтар, жарықшағылдырушы
Түзеткіш ,Универсалды,импульсті,
стабилитрон и стабисторлар
туннельді
арнаулы
варикап
20. Транзисторлар, олардың классификациясы. Транзисторлардың жұмыс істеу (күшейткіш) принципі мен оларды қосу схемалары.

Транзисторларды жалғаудың негізгі 3 түрі бар . Олар:
Ортақ эмиттер, ортақ коллектор, ортақ база.

Транзистор өрістік (униполярлы) және биполярлы деп бөлінеді.
Өрістік (арналық) транзистор – жұмыстық токтың өзгеруі кіріс сигналы тудыратын, оған перпендикуляр бағытталған электр өрісі әрекетінен болатын транзистор. Өрістік транзисторларда кристалл арқылы өтетін токты тек бір таңбалы заряд тасушы – электрон немесе кемтіктудырады. Заряд тасушыларды басқаруға негізделетін физикалық эффектілерге қарай өрістік транзисторлар шартты түрде 2 топқа: #басқаратын р-п электрон-кемтіктік ауысуы бар немесе металл-шалаөткізгіш түйіспелі
оқшауланған жапқылы металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) транзисторлар деп бөлінеді.Өрістік транзисторлар әдетте кремний немесе галий арсениді негізінде жасалады. Олардың тұрақты ток бойынша кірістік және шығыстық кедергілері жоғары, инерциялығы төмен, жиіліктік шегі жоғары болып келеді. Өрістік транзисторлар байланыс, есептеуіш техникаларында, теледидарда шусыз, қуатты және ауыстырып-қосқыш (кілттік) ретінде қолданылады. Металл-диэлектрик-шалаөткізгіш (МДШ) құрылымды өрістік транзисторлар интегралдық сұлбаларда кеңінен қолданылады.
Биполярлы транзисторлар үш кезектелген электрондық (п) немесе кемтіктік (р) өткізгіштік облыстардан тұрады. Олар р-п-р және п-р-п типті болып ажыратылады. Биполярлы транзистордың ортаңғы облысы база, қалған екеуі эмиттер және коллектор деп аталады. База эмиттер мен коллектордан тиісінше эмиттерлік және коллекторлық р-п ауысуларымен бөлінген. Биполярлық транзистордың жұмыс істеу принципі база арқылы өтетін негізгі емес заряд тасушылардың ағынын бақылауға негізделген. Эмиттерлік ауысу тура бағытта ығысқан және ол негізгі емес заряд тасушылардың инжексиясын (итерілуін, ендірілуін) қамтамасыз етеді, ал коллекторлық ауысу кері бағытта ығысқан, ол эмиттер итерген негізгі емес заряд тасушыларды жинап алуды қамтамасыз етеді. Биполярлық транзисторлар негізінен электр сигналдарын өндіруге, күшейтуге арналған. Транзисторлар физикалық және басқа да параметрлеріне байланысты төмен (3 МГц-ке дейін), жоғары (300 МГц-ке дейін), аса жоғары жиілікті (300 МГц-тен жоғары), аз қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-қа дейін), үлкен қуатты (шектік сейілу қуаты 1 Вт-тан жоғары), жоғары және төмен кернеулі, дрейфтік, т.б. түрлерге бөлінеді. Транзистор қазіргі кездегі микроэлектроника құ-рылғыларының негізгі элементі болып табылады.
Қазіргі кезде транзисторлар өмірімізде түпкілікті орын алады. Аналогты және сандық құралдар құрамында бола отырып, олар электр құралдарының негізі саналады. Қолданылатын аялары: компьютерлер, күшейткіштер, электр кілттері, т.б.
21. Биполярлық транзисторлар. Екі p – n өткелі бар структуралардың қасиеттері.
Транзистордың көп тараған бір түрі биполярлы транзистор болып табылады. Биполярлы транзисторлар үш кезектелген электрондық (п) немесе кемтіктік (р) өткізгіштік облыстардан тұрады. Олар р-п-р және п-р-п типті болып ажыратылады. Биполярлы транзистордың ортаңғы облысы база, қалған екеуі эмиттер және коллектор деп аталады. База эмиттер мен коллектордан тиісінше эмиттерлік және коллекторлық р-п ауысуларымен бөлінген. Биполярлық транзистордың жұмыс істеу принципі база арқылы өтетін негізгі емес заряд тасушылардың ағынын бақылауға негізделген. Екі немесе бірнеше электрлік р-п өткелі бар, қуатты күшейтуге жарайтын, үш немесе одан да көп сыртқы қосылғышы бар электрлік түрлендіргіш шала өткізгіш аспапты биполярлық транзисторлар дейміз. Биполярлық транзисторыларды түрлеріне байланысты бөледі p-n-p және n-p-n типтерге, қуат бойынша (кіші , орташа және үлкен ), жұмыстық жиілік бойынша(төменгі, орташа және үлкен жиілікті) және де басқа жағдайлар бойынша. Суретте биполярлық транзистордың құрылымдық схемасы мен шартты белгісі көрсетілген.Электрлік қосылғышы бар кристаллдың ортанғы бөлімін база деп атаймыз (Б), тікелей қосылған өткелді – эмиттер дейміз (Э), екіншісі кері қосылғанды - коллектор деп атаймыз (К).Эмиттер, база және коллектор арасында екі р-п өткел бар, ол эмиттерлік өткел және коллекторлық өткел аталады.

1-сурет. Биполярлық транзистордың жалпы құрылымы:
1-эмиттерлік өткел (ЭӨ), 2-коллекторлық өткел (КӨ)
Транзистордың p-n-p және n-p-n типтерінің шартты белгілері:

2-сурет. Транзистордың p-n-p және n-p-n типтерінің белгілену
22. Биполярлық транзисторлар. Статикалық сипаттамалары, h-параметрі. Транзистордың жоғары жиілік және импульстік режимдерде жұмыс істеуі.
Транзисторларда бір-бірімен байланысты төрт шама бар. Олар: кіріс және шығыс тогы, сонымен қатар кіріс және шығыс кернеуі:
Uкір = U1, Iкір = I1, Uшығ = U2, Iшығ = I2.
Осы келтірілген параметрлерден басқа, транзисторларда басқа да параметрлер жүйесі қолданылады, ол жүйені транзистордың һ параметрі деп те атайды.
Транзистордың h-параметрін анықтау. Транзисторлар сұлбаларын есептегенде және анализдегенде транзистордың эквивалентті схемасын және оған арналған параметрлер жүйесіне сүйенеміз. Транзисторлардың физикалық параметрлер жүесінің кемшілігі, олардың ішінен барлығы да өлшене бермейді. h-параметрлер жүйесінде транзисторлардың параметрлері активті сызықты 4-ұштықты параметрлермен анықталады. h-параметрлер жүйесінде тәуелді емес айнымалы бойынша кіріс токты қабылдайды(1) және шығыс кернеу(U2). Осыдан , U1 = h11 1 + h12 U2, 2 = h21 1 + h22 U2 біз төрт параметрді анықтаймыз ,ол қысқаша тұйықталу режимінде (U2=0) және бос жүріс режимінде болады (1=0). h11- кіріс сипаттамасы, h12-кері байланыс коэффициентті, h21- токты беру коэффициентті, h22- шығыс өткізгіштік.
Һ параметрінің бұл түрлерінің әр қайсысына жеклей тоқталсақ:
1. Кіріс сипаттамасы:
h11 = U1/I1 U2 = const болғанда.
айнымалы кіріс тогына шығысында қысқа тұйықталу болатын, яғни шығысында айнымалы кернеу болмайтын транзистордың кедергісі болып табылады.
2. Кернеу бойынша кері байланыс коэффициенті:
h12 = U1/U2 I1 = const болғанда.
кірістегі айнымалы кернеудің кандай мөлшері кері байланыс салдарынан транзистордың кірісіне берілетінін көрсетеді.
3. Токтың күшейту коэффициенті (токты беру коэффициенті):
h21 = I2/I1 U2 = const болғанда.
жүктемесіз жұмыс істеу кезінде транзистордың айнымалы тогының күшейтуін көрсетеді.
4. Шығыс өткізгіштік:
h22 = I2/U2 I1 = const болғанда.
бұл, транзистордың шығыс қысқыштарының арасындағы айнымалы токтың өткізгіштігін сипаттайды.
Бұл параметрлердің ортақ эмиттер арқылы қосылу сұлбасында келесі теңдіктерді аламыз:

мұндағы
һ11Э = UБЭ/ІБ UКЭ = const;
h12Э = UБЭ/UКЭ ІБ = const;
h21Э = IК/IБ UКЭ = const;
h22 = IК/UК ІБ = const.
Коллекторлық ауысудың қызуына жол бермеу үшін одан коллекторлық ток өткенде шығарылатын қуатты белгілі бір максимал шамадан асырмау керек:

Сонымен қатар коллекторлық кернеуге де шектеулер бар:

және коллектролық ток үшін де:

23. Биполярлық транзисторлар. Қосу схемалары. Типтік қосылулардың эквивалент схемалары және олардың параметрлері
Транзистордың кез-келген қосылулары екі маңызды көрсеткішпен сипатталады:
Ток бойынша күшейту коэффициенті Ішығ/Ікір;
Кіріс кедергісі Rкір= Uкір/Ікір.
Ортақ базамен қосылу сұлбасы :

Бұл схема үшін, кіріс тогы эмиттер тогы болып саналады, ал шығыс – коллектор тогы болады.Дифференциалды Rкір транзисторы ОБ схемасында аз, ал Rшығ көп. Коллекторлық кернеу эмиттер тогына әсер етеді. ОБ сұлбасы диффернциалды тікелей токты беру коэффициентті сипатталады: α = ΔΙк / ΔΙэ
Артықшылығы температура және жиіліктік сипаттамаларының икемділігі, сонымен қатар ОЭ сұлбасына қарағанда күшейтулердің аз бұрмалануы.
Кемшілігі ішкі кедергісінің төмендігі және база мен коллектордың түрлі қорек көзінен қоректенуі.
Ортақ эмиттер қосылу сұлбасы :

Базаның кішігірім тогы кіріс тогы болып саналды, ал шығыс - коллекторлық болады. ОЭ сұлбасы кернеу және токты күшейтеді . Rкір және Rшығ ОБ схемасына қарағанда көбірек.
ОЭ сұлбасының күшейтуі кезінде каскад кернеу фазасына бұрылады, яғни кіріс кернеуінің фазасын 180°-қа ығыстырады.
ОЭ сұлбасының артықшылығы – коллектордың және базаның бір қорек көзінен қоректенуі.
Кемшілігі – температуралық және жиіліктік сипаттамаларының нашарлығы. Жиіліктің аз ғана жоғарылауы оның күшейтуінің өте көп төмендеуіне алып келеді. ОЭ сұлбасының жұмыс істеу режимі температураға да өте көп байланысты.
Ортақ коллектормен қосылу сұлбасы :

Ортақ коллектор сұлбасында кіріс тогы база тогы болып есептелінеді, ал шығыс – эмиттер тогы болады.Бұл сұлба ток және қуат бойынша күшейтеді, бірақ кернеу бойынша күшейтпейді,сондықтан көп қолданбайды. ОК сұлбасында шығыс кедергісі аз және транзистордың барық қосылу сұлбасында кірісі көп. Бұл сұлба эмиттерлік қайталағыш деп аталады. Өткені жүктеме кедергі эмиттерге қосылған және шығыс кернеуі эмиттерден бөлініп алынады.
24Биполярлық транзисторлар. Олардың типтері мен ерекшеліктері. Басқармалы p – n өткелі бар биполярлық транзисторлар
Биполярлық транзистор не транзистор деп электр тербелістерін күшейту мен генерация жасауға арналған және үш облыстан тұратын, кремний немесе германий пластинасы болып табылатын екі р—п ауысуы бар шала өткізгішті аспапты айтады. Екі шеткі облыстың әрқашан бірдей текті өткізгіштігі бар, ал ортадағы облыс қарама-қарсы түрдегі өткізгіштікте болады. Шеткі облыстарының электрондық өткізгіштігі, ал ортаңғысының кемтіктік өткізгіштігі бар транзисторлар п-р-п үлгілік транзисторлар деп аталады ал, ортаңғысының электрондық өткізгіштігі барлар р-п-р — үлгілік транзисторлар деп аталады.
Екі үлгілік транзисторларға жүріп жататын физикалык, процесстер өте ұқсас, олардың арасындағы айырмашылықтар мынада: олардың қоректендіру көздеріне қосылу полярлығы қарама-қарсы және де п-р-п үлгілік транзисторда электр тоғын негізінен электрондар түзетін болса, ал р-п-р үлгілік транизсторда — кемтіктер түзеді. р-п ауысулар бір-бірінен бөлінген шектес облыстар, эмиттер Э, база Б және коллектор К деп аталады.
Эмиттер заряд тасушыларды, п-р-п үлгілік транзисторда электрондарды, ал р-п-р үлгілік транзисторларда кемтіктерді шығаратын облыс болып табылады, коллектор-заряд тасушыларды жинап алатын облыс; база-ортаңғы облыс, негіз.
Транзистордың жұмыс істеуі кезінде сол жақтағы р-п ауысуын тура бағыттағы эмиттер — база кернеуі Uэқ беріледі, оң жақтағы р-п ауысуына кері база — коллектор кернеуі Uэ-қ беріледі. Электр өрісінің әсерінен сол жақтағы облыстан (эмиттерден) заряд тасушылардың көп бөлігі р-п ауысуын басып өтіп, өте енсіз ортаңғы облысқа (базаға) өтеді. Заряд тасушылардың көп бөлігі одан әрі екінші ауысуға қарай қозғала отырып, оған жақындағаннан кейін, кернеу көзі Uэкқ тудыратын электр өрісінің ықпалына түседі. Осы өрістің әсерінен заряд тасушылар батарея Uэ-к тізбегіндегі токты өсіріп, оң жақтағы облысқа (коллекторға) тартылып кіреді. Егер Uэк-б кернеуін өсірсек, онда эмиттерден базаға көшкен заряд тасушылардың саны өседі, яғни эмиттер тоғы I-э5 -ға артады. Бұл жағдайда коллектор тоғыда Iб-к-ға артады.
Базаға эмиттерден келген заряд тасушылардың шамалы бөлігі қарама-қарсы полярлықтағы еркін заряд тасушылармен рекомбинацияланады (бейтараптанады), олардың азаюын база тоғы Iб-ны құрайтын сыртқы тізбектен келетін жаңа заряд тасушылар толықтырылып отырады. Сөйтіп, коллектор тоғы Iқ= Iэ - Iб — эмиттер тоғынан шамалы ғана кіші болып шығады.U б-к =сопst болғандағы а = Iк/ Iэ қатынасы ток бойынша күшейту коэффициенті деп аталып, әдеттегі мәндері а = 0,9 —0,995-ке тең болады.
Егер эмиттер — база тізбегі ажыратылып тұрса және ондағы ток I =0 тең болса, ал коллектор мен база арасына U к-б кернеуі түсірілсе, онда коллектор тізбегінде, негізгі емес заряд тасушылардан қалыптасқан кішкентай кері (жылулық) ток I ко жүріп жатады. Бұл ток белгілі дәрежеде температураға тәуелді болып, транзистордың параметрлерінің бірі болып табылады. Бұл ток қанша кіші болған сайын транзистордың қасиеттері жақсара түседі.
Транзистор электр тербелістерін күшейткіш ретінде жұмыс істеген кезде айнымалы кірістік кернеуді U эмиттер мен база арасындағы тұрақты ығысу кернеуінің U көзімен тізбектеп қосып береді, ал шығыс кернеуі Uшығ жүктеме резисторынан Rж алынады.
25. Өрістік транзисторлар. Қосылу схемалары. Статикалық сипаттамалары мен параметрлері
Транзисторлардың өрістік деген түрі бар. Мұнда да биполярлы транзистордағы сияқты үш электрод бар. Бірақ мұнда олар жаппа (затвор), бастау (исток) және құйма (сток) деп аталады. Ал бастау мен құйманың ток жүретін арасын арна (канал) деп атайды. Бұл транзистордың тогы бекітпе мен бастаудың арасына берілген кернеудің әсерінен пайда болатын электр өрісі арқылы басқарылады. Сондықтан да оны өрістік транзистор дейді. Мұндай транзисторларда ток арна арқылы тек бір ғана түрлі зарядпен пайда болады (электрондармен немесе ойықтармен). Зарядтарды арнаға кіргізетін электродты бастау деп атаса, зарядтардың арнадан кететін электродын құйма деп атайды. Ал арнаның кедергісін реттейтін электрод бекітпе деп аталады. Осындай п типті арнасы бар, р - п асуы түріндегі бекітпесі бар өрістік транзистордын схемасы төмендегі 1-суретте берілген.

1-сурет.
1- суретте 1 - бастаудың ұшы; 2 - бекітпе; 3 - арна; 4 - бекітпенің ұшы; 5- кұйманың ұшы.
Жекелеген қақпасымен өрістік транзистор – бұл қақпасы арнадан диэлектрик қабатымен электрлік қатынаста бөлінген өрістік транзистор.
Жекеленген қақпасымен өрістік транзистор электр өткізгіштіктің қарама-қарсы типімен екі аумағы құрылған жартылай өткізгіштің біршама үлкен меншікті кедергісімен пластинадан тұрады. Жекеленген қақпасымен өрістік транзисторларды жиі МДЖ-транзисторлар (металл-диэлектрик-жартылай өткізгіш) немесе МОЖ-транзисторлар (металл-оксид- жартылай өткізгіш) деп атайды.
Өрістік қосылу сұлбалары және кіріс шығыс параметрлері
Өрістік транзисторлардың негізгі шамалары: сипаттаманың тіктігі S, күшейту коэффициенті μ ішкі кедергі Ri.
Өрістік транзистордың сипаттамасының тіктігі деп S шығыс тоғының өзгеруінің оның өзгеруіне әкелген Uси = const болғанда қақпадағы кедергісіне қатынасын айтады:
S = (dIc/dUзи)|Uси = const
Өрістік транзистордың күшейткіш коэффициенті μ деп S шығыс тоғының өзгеруінің оның өзгеруіне әкелген Iс = const болғанда қақпадағы кедергісіне қатынасын айтады:
μ = (dUси/dUзи)|Iс = const
Өрістік транзистордың ішкі кедергісі Ri деп S шығыс тоғының өзгеруінің оның өзгеруіне әкелген Uзи = const болғанда қақпадағы кедергісіне қатынасын айтады:
Ri = (dUси/dIс)|Uзи = const
Өрістік транзистордың күшейткіш коэффициенті, сипаттамасының тіктігі және ішкі кедергісі өзара арақатынаспен біріктірілген:
μ = S RiТемпература өскенде тіктігі де, табалдырықты кедергісі де азаяды, оның үстіне бұл шамалардың азаюы тоққа кері бағыттарда әсер етеді. Тоқтың олар теңесетін Ic мәндері бар. Бұл тұрақты мәнді ауыспалы тоқ деп атайды. Ауыспалы тоқтың бар болуы – МДЖ–транзисторлардың маңызды ерекшелігі; ол жеңіл жолмен – жұмыс тоқты алумен температуралық тұрақтандыру мүмкіншілігін қамтамасыз етеді
Қосу сұлбалары. Статикалық сипаттамалары және шектері.
Электронды сұлбаларда қолдану ерекшеліктері
Биполярлық транзисторларға ұқсастығына қарай тұрақты потенциал нүктесіне қандай электрод қосылғанына байланысты қосу сұлбаларын үшке бөледі: кірісті, шығысты және қақпалы.
Ортақ кіріс сұлбасы
Ортақ кіріспен сұлба биполярлы транзисторлар үшін ортақ эмиттермен сұлбаға сай келеді.

5-сурет. Ортақ бастау өрістік транзистордың қосылу сұлбасы
Айырмашылығы диод қақпа-арна жабулышы бағытта қосылған болады. Бұл жағдайда кіріс тоқ нольге жақын, ал кіріс кедергісі өте үлкен болады.
Ортақ кіріспен сұлба үшін күшейткіш коэффициентінің максималды шамасы A = -S = -μ құрайды.
Жалпы қақпамен сұлбасы
Ереже бойынша өрістік транзистордың жалпы қақпамен сұлбасы үшін тіпті ұқсамайды, осыдан осы қосылыста қақпа-кіру транзистордың тізбегінің құрамына жоғарғы омдық қолданылмайды.
Жалпы кіріспен сұлбасына қарағанда жалпы шығыстың сұлбасы біршама жоғарғы кіру кедергіге ие болады. Көпшілік жағдайдың бірінде ол қаншалықты үлкен болса да және жалпы кіру сұлбасы үшін де бұл маңызды мән берілмейді. Бұндай сұлбаның артықшылығы каскадтың кіру сыйымдылығын елеулі азайтудан тұрадады. Ерекшелігі эмиттерлік қайталанудан шығу кедергісі сигнал көзіндегі төменгі кедергіден қайталануы әсер етпейді.

6-сурет. Өрістік транзистордың ортақ құйма және ортақ жаппамен қосылу сұлбасы
26. Фильтрлер. Олардың түрлері мен аналогтық схемалары.
Электрондық фильтр – бұл қандай да бір диапазонда сигналды жіберуге арналған жиілікті-таңдаушы құрылғы. Фильтрлер байланыс жүйелерінде, электронды жүйелерді шуылдан сақтандыруда өте кең қолданылады.
Фильтрлер классификациясы:
Амплитуда-жиіліктік сипаттамасының түріне байланысты: төменгі жиілікті фильтрлер, жоғарғы жиілікті фильтрлер болып бөлінеді. Элемент типтері бойынша: пассивті фильтрлер, активті фильтрлер және т.б.
Фильтрлердің мынадай түрлері бар: жоғары жиіліктік фильтр (ЖЖФ), төменгі жиілікті фильтр (ТЖФ), жолақтық фильтр, режектрлік фильтр. Олардың амплитуда-жиіліктік сипаттамалары мынадай болады.

Пассивті фильтр – тек пассивті элементтерден тұратын фильтр. Пассивті фильтрлерге жұмыс жасау үшін энергия көзі қажет емес. Активті фильтрлерден айырмашылығы пассивті фильтрлерде сигналдың қуат бойынша күшеюі жүреді.

Активті фильтр – ең болмағанда бір активті элемент (транзистор немесе операциялық күшейткіш) болатын операциялық күшейткіш. Активті фильтрлерге интегратор мен дифференциаторды жатқызуға болады. Интегратор – төменгі жиіліктегі фильтр болса, дифференциатор – жоғарғы жиіліктегі фильтр болады.
30. Шалаөткізгіштердегі өткізгіштіктік түрлері. Меншікті және қоспалы өткізгіштік.
Шала өткізгіштер дегеніміз токты өткізетін материалдар мен диэлектриктердің арасындағы тек қандай да бір жағдайда ток өткізетін материалдар. Олардың 2 түрі бар : Табиғи шалаөткізгіш және қоспалы шалаөткізгіш. Табиғи шалаөткізгіш ретінде Si қарастыра аламыз.
Таза күйінде Si және Ge диэлектриктік қасиеттерге иеленеді, бірақ олардың өткізгіштігі аз мөлшерде (шамада) қоспаларды енгізсе түпкілікті өзгереді.

Суретте Ge-дің (кристалл торының) моделі, оның бір атомын As (күшән) атомымен орынбастырылған. Міне осы As-атомды қоспа дейді. Күшәннің (As-тің) сыртқы орбитасында 5 электрон, сондықтан Ge-кристалына “тұрғанда” оның бір электроны еркін болып қалады. Бұл артық электрон өте қозғалғыш, сондықтан потенциалдар айырымы пайда болғанда ток тасымалдаушы бола алады. Еркін электрондар санын (мөлшерін) шалаөткізгіш ішіне енгізілетін қоспа атомдар санын өзгертіп бақылауға (тексеруге) болады. Қоспаларды шалаөткізгіштерге енгізгенде еркін электрондар пайда болса – бұл шалаөткізгіш енгізілген қоспа донор деп аталады, ал шалаөткізгішінің өзі қоспалы шалаөткізгіш деп аталады.
Донор қоспасы бар шалаөткізгіштерде өткізгіштік еркін электрондармен сипатталады да, бұндай шалаөткізгіштерді n-типті (negative) деп атайды.
Егер шалөткізгіш–кристалл торы ішіне сыртқы қабаттарыда үш электрон болатын, мысалы Бор, Индий атомдарын енгізетін болсақ, электронның жоқтығы кристалл ішінде кемтіктің пайда болуына келтіреді. Сырттан түсірілген кернеу бұндай шалаөткізгіштерде электрондардың оң таңбалы түйіспеге , ал кемтіктердің теріс таңбалы түйіспе жағына қозғалысына келтіріледі. Кемтіктердің қозғалысын да ток ретінде қарастыруға болады. Шалаөткізгіштерді р-типті (positive) деп, ал қоспаларды акцепторлар деп атауға келіскен.
Жоғарыда қарастырылған негізгі заряд тасушылармен қатар (бұлар шалаөткізгіш ішіне қоспаларды қосқанда пайда болады дедік) кәдімгі қыздыру әрекетінен пайда болатын еркін электрондар (оларды негізгі емес заряд тасушылар деп атайды) да токқа үлесін қосады.
31. Кіріс сигналын 10 есе күшейтетін иверттемейтін күшейткіш схемасын сызыңыз.

K=(Roc+R1)/R1
K=10
Roc=90 кОм
R1=10 кОм
32. Кіріс сигналын 10 есе күшейтетін иверттейтін күшейткіш схемасын сызыңыз.

K=-(Roc/R1)
K=10
Roc=100 кОм
R1=10 кОм
33. 3x+5y түрінде берілген өрнекті модельдейтін схема сызыңыз

34. 3x-5y түрінде берілген өрнекті модельдейтін схема сызыңыз

35. -3x-5y түрінде берілген өрнекті модельдейтін схема сызыңыз

36. 2x+5y=0 және x-3y=0 түрінде берілген алгабралық теңдеулер жүйесін шешетін схеманы сызыңыз

37. 2x-5y=0 және x+3y=0 түрінде берілген алгабралық теңдеулер жүйесін шешетін схеманы сызыңыз

38. 4x+y=0 және 3x-5y=0 түрінде берілген алгабралық теңдеулер жүйесін шешетін схеманы сызыңыз

39. 4x-y=0 және 3x+5y=0 түрінде берілген алгабралық теңдеулер жүйесін шешетін схеманы сызыңыз

40. 5x-10y=100, 20x+50y=40 түрінде берілген алгабралық теңдеулер жүйесін шамасы 10-ға тең болатындай масштабтық коэффициентпен шешетін схеманы сызыңыз.

41. 5x+10y=10, 20x-5y=40 түрінде берілген алгабралық теңдеулер жүйесін шамасы 5-ке тең болатындай масштабтық коэффициентпен шешетін схеманы сызыңыз
5x+10y=1020x-5y=40 → x=-2y-2y=4x-8:5→x=-0.4y-0.4y=0.8x-1.6
X=-0.4y-0.4
K=-R2R1 → R2R1=0.4R2R7=1 → R2=R742. 50x+100y=50, 20x-50y=400 түрінде берілген алгабралық теңдеулер жүйесін шамасы 100-ге тең болатындай масштабтық коэффициентпен шешетін схеманы сызыңыз.

43. 50x-100y=50, 20x+50y=400 түрінде берілген алгабралық теңдеулер жүйесін шамасы 100-ге тең болатындай масштабтық коэффициентпен шешетін схеманы сызыңыз.

44. Интегратор кірісіне x(t)=10*sin(2*pi*10*t) синусоидалды сигнал берілген. Интегратор схемасын және кіріс пен шығыс сигналдарының бір диаграммадағы сапалық картинасын сызыңыз.


45. Интегратор кірісіне x(t)=20*cos(2*pi*10*t) синусоидалды сигнал берілген. Интегратор схемасын және кіріс пен шығыс сигналдарының бір диаграммадағы сапалық картинасын сызыңыз.
46. Берілген екі сигналдың 10*sin(2*pi*10*t) - 20*cos(2*pi*10*t) айырымын интегралдайтын айырымдық интегратор схемасын сызыңыз

47. Берілген екі сигналдың 20*cos(2*pi*10*t)-10*sin(2*pi*10*t) айырымын интегралдайтын айырымдық интегратор схемасын сызыңыз.

48. Жиілігі 10 кГц сигналды интегралдау қажет. Егер конденсатор сыйымдылығы 0.1 мкФ болса, онда берілген сигналды корректі түрде интегралдау үшін резистор кедергісінің шектік мәні қандай болуы тиіс?

49. Жиілігі 10 кГц сигналды интегралдау қажет. Егер резистор кедергісі 10 кОм болса, онда берілген сигналды корректі түрде интегралдау үшін конденсатор сыйымдылығының шектік мәні қандай болуы тиіс?

50. Дифференциатор кірісіне x(t)=10*sin(2*pi*10*t) түріндегі сигнал берілген.
Дифференциатор схемасын және кіріс пен шығыс сигналдарының бір диаграммадағы сапалық картинасын сызыңыз.
698544

20*cos(20πt)
-400sin(20πt)
787400306070
1974474164957
-135255608363
-13081067
1333567

8541928421


6985201930
696754598
164465107315

Приложенные файлы

  • docx 553536
    Размер файла: 7 MB Загрузок: 0

Добавить комментарий