РГР 3 Вариант 14


Министерство Образования и Науки Российской Федерации
НОВОСИБИРСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Кафедра «Автоматики»
Расчётно-графическая работа №3по курсу «Электроника»
Насыщенный транзисторный инвертор
Выполнила:студентка группы АА-17Флорю Кира
Проверил:Ерушин В.ПВариант 14
Новосибирск, 2012
Исходные данные:
Uвых1, BUвх1, BUвх0, BUбэ з, BNEк, BEсм, BRн, кОм82,60,60,54 {+10, 15, 20}-31
Техническое задание:
Выбрать Eк≥Uвых1.
Рассчитать Rк по Uвых1=Eк*Rн(Rк+Rн).Выбрать VTmin (Uк доп≥Eк, Iк доп≥Iкн=EкRк, Pк доп≥Eк28Rк).При необходимости увеличить Eк и повторить п.2.
Рассчитать Rк, Rб из условий запирания и насыщения:
Eсм*RбRб+Rсм-Uвых0*RсмRб+Rсм=Uбз э;Uвх1Rб-EсмRсм=Iб1=Iбн*N+1; Iбн=EкβRк;a=(Eсм-Uбз э)(Uвх0+Uбз э);Rб=βRк*(aUвх1-Eсм)aEкN+1; Rсм=aRб.Уточните значения N и Uбэ з по условиям запирания и насыщения, подобрав величины Rб и Rсм так, чтобы уточнённое значение N имело минимальное отклонение от заданного.
Рассчитать tф-, tp, tф+:tф-=τβ*ln⁡(1+1Nрасч);tp=τβ*ln⁡(1+Nрасч(1+Iб2Iбн));tф+=τβ*ln1+IбнIб2;τβ=(1+β)2πfα; Iб2=EсмRсм-Uвх0Rб.
Расчеты:
Eк=10ВRк=Rн*EкUвых1-1=0,25 кОмE240,24 кОмIк доп≥Iкн=EкRк=41,667 мАE2443 мАPк доп≥Eк28Rк=52,083 мВтE2451 мВтИз VT подходят VT3, VT4, VT5, VT6. VTmin=VT3:
Uкдоп, BIкдоп,мАPкдоп, мBтβfα, МГц10 50 70 50 8
a=(Eсм-Uбз э)(Uвх0+Uбз э)=2,272Rб=βRк*aUвх1-EсмaEкN+1=0,307 кОмRбE24Rб1=0,3 кОм, Rб2=0,33 кОмRсм1,2=aRб1=0,682E24Rсм1=0,68 кОм, Rсм2=0,75 кОмRсм3,4=aRб2=0,75E24Rсм3=0,75 кОмRб, кОм Rсм, кОм NрасчUбэ з расч, В
0,3 0,68 4,10588235 0,502040816
0,3 0,75 4,6 0,428571429
0,33 0,68 3,16042781 0,576237624
0,33 0,75 3,65454545 0,5
τβ=(1+β)2πfα=1,015 мкс Iб2=EсмRсм-Uвх0Rб=2,412 мАIбн=EкβRк=0,833 мАtф-=τβ*ln⁡(1+1Nрасч)=0,221 мксtp=τβ*ln⁡(1+Nрасч(1+Iб2Iбн))=0,301 мксtф+=τβ*ln1+IбнIб2=0,73 мксГрафический материал
Принципиальная схема инвертора
Rб0к3Rсмк68Rн1к0Rкк24VT33B-++10BUвыхUвх

Приложенные файлы

  • docx 10801989
    Размер файла: 36 kB Загрузок: 0

Добавить комментарий