Отчет по преддипломной практике

Министерство образования и науки РФ
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования

Томский государственный университет систем управления

и радиоэлектроники (ТУСУР)



Кафедра радиоэлектроники и защиты информации (РЗИ)









ВЧ ГЕНЕРАТОР ДЛЯ ПИТАНИЯ ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО РЕАКТОРА

Отчет по преддипломной практике

































Выполнил студент гр. з49 специальности 210302
___________ Добрычев К.С.



___ _________ 2015 г.







Руководитель практки:
___________ Романюк А.И.



___ _________ 2015 г.







Руководитель практки
от университета:
___________ Богомолов С.И.



___ _________ 2015 г.





















г. Томск – 2015

Содержание

13 TOC \o "1-3" \h \z \u 1413 LINK \l "_Toc414520218" 141 Введение 13 PAGEREF _Toc414520218 \h 1431515
13 LINK \l "_Toc414520219" 142 Плазмохимия 13 PAGEREF _Toc414520219 \h 1441515
13 LINK \l "_Toc414520220" 143 Плазмохимический реактор 13 PAGEREF _Toc414520220 \h 1451515
13 LINK \l "_Toc414520221" 144 Генераторы 13 PAGEREF _Toc414520221 \h 1471515
13 LINK \l "_Toc414520222" 145 Разработка УМ 13 PAGEREF _Toc414520222 \h 1471515
13 LINK \l "_Toc414520223" 145.1 Прототип изделия 13 PAGEREF _Toc414520223 \h 1471515
13 LINK \l "_Toc414520224" 145.2 Однотактная схема УМ. 13 PAGEREF _Toc414520224 \h 1481515
13 LINK \l "_Toc414520225" 145.3 Двухтактный усилитель с динамической нагрузкой и резонансным звеном. 13 PAGEREF _Toc414520225 \h 14111515
13 LINK \l "_Toc414520226" 145.4 Двухтактный трансформаторный каскад с общей точкой. 13 PAGEREF _Toc414520226 \h 14121515
13 LINK \l "_Toc414520227" 14Выводы 13 PAGEREF _Toc414520227 \h 14161515
15ПРИЛОЖЕНИЕ А

1 Введение
Список сокращений:
П/х- плазмохимия(плазмохимический); ВЧ- высокочастотный; УМ- усилитель мощности;

Цель практики – изыскание оптимальной структуры выходного каскада УМ ВЧ генератора для питания плазмохимического реактора.
Для достижения цели ставятся следующие задачи:
Изучение принципа работы п/х реактора
Разработка схем выходного каскада УМ в среде Multisim.
Информация о компании:
ООО "ПТК "ТРАНСЭЛЕКТРО", дата регистрации – 22 января 2003 года, регистратор – Инспекция МНС России по городу ТОМСКУ ТОМСКОЙ области. Полное официальное наименование – ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ "ПРОИЗВОДСТВЕННО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКАЯ КОМПАНИЯ "ТРАНСЭЛЕКТРО". Юридический адрес: 634033, г. ТОМСК, ул. ЛОМОНОСОВА, д. 38. Основным видом деятельности является: "Производство частей приборов, аппаратов и инструментов для измерения, контроля, испытания, навигации и прочих целей". Компания также зарегистрирована в таких категориях как: "Производство радиолокационной, радионавигационной аппаратуры и радиоаппаратуры дистанционного управления", "Производство интегральных схем, микросборок и микромодулей". Директор –[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ]. Организационно-правовая форма (ОПФ) – общества с ограниченной ответственностью. Тип собственности – частная собственность.
Основной вид деятельности:
 [ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ];
Дополнительные виды деятельности компании:
Производство радиолокационной, радионавигационной аппаратуры и радиоаппаратуры дистанционного управления;
Производство интегральных схем, микросборок и микромодулей;
Общероссийский классификатор продукции по видам экономической деятельности:
Приборы и аппаратура для измерения или обнаружения ионизирующих излучений прочие, не включенные в другие группировки;
Анализаторы автоматические для определения реакций антиген-антитело, включая иммуноферментные, иммунофлюоресцентные, иммунохемилюминесцентные анализаторы;
Системы электроизмерительные информационные диагностические (для прочностных испытаний, для контроля технологических процессов, для определения свойств материалов);
Средства СЕВ наземные;
Приборы и инструменты навигационные, метеорологические, геодезические, геофизические и прочие;
Приборы радиоизотопные;
Анализаторы масс-спектрометрические;
Машины и приборы для измерения твердости прочих материалов и конструкций;
2 Плазмохимия
[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть ссылку ] область химии, в которой изучаются химические процессы в низкотемпературной плазме, закономерности протекания реакций в ней и основы плазмохимической технологии. Плазма с температурой 103-2 Ч104 К и при давлении 10-6-104 ам, а также неравновесная плазма искусственно получается в устройствах, называется плазматронами. Взаимодействие между реагентами в плазме приводит к образованию конечных (целевых) продуктов, которые могут выводиться из состояния плазмы путём быстрого охлаждения (закалки). Основной особенностью плазмохимических процессов является то, что в плазме образуются в значительно больших концентрациях, чем при обычных условиях проведения химических реакций, многие реакционноспособные частицы - возбуждённые молекулы, электроны, атомы, атомарные и молекулярные ионы, свободные радикалы (образование некоторых из таких частиц возможно только в плазме), которые обусловливают новые типы химических реакций.
Плазмохимические реакции протекают, как правило, в неравновесных условиях, когда подсистемы единой реагирующей многокомпонентной системы могут иметь различные поступательные температуры, значительно различаются вращательная, колебательная и электронная температуры, нарушается больцмановская заселённость энергетических уровней и т.п. (подробней см. в ст. Кинетическая теория газов). Неравновесность может быть обусловлена различными физическими воздействиями - электромагнитного поля, быстропеременного давления, сверхзвукового истечения,- а также самой химической реакцией, которая, будучи пороговым процессом, уменьшает количество молекул, обладающих энергией, превышающей пороговую изменяя тем самым вид функции распределения молекул по энергиям. Так, например, в тлеющем разряде, ВЧ и СВЧ разрядах при низких давлениях средняя энергия электронов 3-10 эв (функция распределения их по энергиям существенно отличается отМаксвелла распределения), средняя колебательная энергия молекул и радикалов Ј 1 эв, в то время как средняя поступательная и вращательная энергия ~ 0,1 эв.
Механизмы плазмохимических реакций имеют ряд особенностей, обусловливаемых следующими факторами. 1) Реакции диссоциации, приводящие, в частности, к образованию радикалов свободных, могут быть лимитирующими стадиями. Эти реакции инициируются присутствующими в низкотемпературной плазме возбуждёнными и заряженными частицами, например колебательно- и электронно-возбуждёнными молекулами и электронами. 2) За счёт электронного удара ускоряются процессы колебательной релаксации и диссоциации молекул не только через основное, но и через электронно-возбуждённые состояния. Влияние электронного удара становится определяющим в изотермической плазме при степенях ионизации свыше 10-3 а для плазмы с резко различающимися температурами электронов и тяжёлых частиц - при любых степенях ионизации. При диссоциации и рекомбинации через электронно-возбуждённые состояния возрастает значение неадиабатических переходов. 3) Диссоциация через электронно-возбуждённые состояния является двухстадийным процессом: сначала происходит электронное возбуждение, а затем - диссоциация возбуждённых состояний (нестабильных и стабильных, в результате предиссоциации). 4) Существенную роль в диссоциации начинают играть ионно-молекулярные реакции с участием электронно-возбуждённых ионов.
Плазмохимические реакции, как правило, являются многоканальными процессами. Это и определяет всё многообразие экспериментально осуществляемых реакций в низкотемпературной плазме; путём изменения условий генерирования плазмы и регулирования ее состава можно направлять реакции по тому или иному каналу.
Плазмохимическая технология - новая область промышленной химической технологии. Её особенности определяются спецификой механизмов и кинетики плазмохимических реакций, а также спецификой химических процессов в низкотемпературной плазме и плазменных струях. Высокие скорости плазмохимических процессов (продолжительность 10-2-10-5 сек) позволяют уменьшить размеры промышленной аппаратуры и оборудования. (Так, для процесса плазмохимического пиролиза метана плазменный реактор производительностью 25000 т в год имеет длину 65 см и диаметр 15 см.) Сближение времени перемешивания реагентов в плазменных струях и времени реакций приводит к тому, что значительная часть процессов лимитируется оптимальным турбулентным перемешиванием до молекулярного уровня. Закалка плазмохимических реакций осуществляется в области максимума образования нужных продуктов. Как правило, плазмохимические процессы легко управляемы; они хорошо моделируются и оптимизируются. Во многих случаях плазмохимическая технология позволяет получать материалы (например, высокодисперсные порошки, плёнки, покрытия) и вещества, обладающие весьма ценными свойствами (вольфрам, например, приобретает устойчивость к рекристаллизации и ползучести, анизотропию эмиссионных свойств). В промышленных и полупромышленных масштабах реализованы многие плазмохимические процессы: получение ацетилена и технического водорода из природного газа; получение ацетилена, этилена и водорода из углеводородов нефти (дистиллятов и сырой нефти); производство синтез-газа для получения винилхлорида; фиксация атмосферного азота (получение азотной кислоты); получение пигментной двуокиси титана и других важных промышленных продуктов.

3 Плазмохимический реактор
Плазмохимические реакторы используют для производства газообразных продуктов (ацетилена, оксида азота, дициана, фторуглеродов и т. п.) и порошков функционального назначения (например, пигментного диоксида титана, ультрадисперсного нитрида титана, нитрида кремния и т. п.). Эффективность использования плазмохимического процесса для получения таких продуктов обусловлена механизмом и кинетикой химических и фазовых превращений при высоких температурах, а также возможностью введения энергии непосредственно в реакционный объем.
В плазмохимических реакторах в качестве теплоносителя используется низкотемпературная плазма (с энергией до 10 эВ, что соответствует температуре ~11 200 К). Процессы в низкотемпературной плазме особенно перспективны для промышленной реализации химических реакций, у которых:
1) равновесие смещено в сторону высоких температур;
2) скорости резко возрастают с повышением температуры (продолжительность контакта сырья с теплоносителем в таких реакторах обычно ~10–3–10–5 с). С этим связана значительная миниатюризация реакторных устройств (например, плазмохимический реактор пиролиза метана производительностью по целевому продукту – ацетилену 0,9 кг/с имеет длину 65 см и диаметр ~15 см);
3) высокие выходы целевого продукта достигаются в существенно неравновесных условиях;
4) используется широкодоступное, малоценное, неустойчивое по составу сырье (например, в плазмохимическом пиролизе природного газа примеси к метану до 20–25 % не влияют на выход целевых продуктов);
5) для получения чистых и высокочистых (например, полупроводниковых) материалов, т. к. в плазмохимических процессах в ВЧ- и СВЧ-плазме чистота продуктов определяется только чистотой исходного сырья и даже может быть повышена в ходе процесса.
Так как плазмохимические реакции являются многоканальными (получение целевого продукта – лишь один из возможных каналов взаимодействия), то коэффициент выхода полезного продукта находится обычно в интервале 0,15–0,75 от теоретически возможного.
Схема типового плазмохимического реактора представлена на рис. 3.1.
При выборе плазмохимических реакторов следует учитывать, что:
1) подавляющее большинство представляющих практический интерес плазмохимических процессов с технологической точки зрения одностадийны;
2) плазмохимические процессы хорошо моделируются, оптимизируются и управляются;
3) управление низкотемпературной плазмой может быть осуществлено газо- и электродинамическими методами, применение которых позволяет снизить требования к конструкционным материалам плазмотрона и реактора.
Для получения плазмы используются специальные устройства – плазмотроны. Плазмотроны делятся по способу зажигания разряда в газовой среде на дуговые (работают на постоянном токе или токе промышленной частоты) и безэлектродные – высокочастотные [1, 2]. Электродуговые плазмотроны имеют мощность от 25 кВт до 10 МВт и выпускаются как серийно, так и в виде образцов, спроектированных специально для конкретного плазмохимического реактора. Дуговые плазмотроны работают обычно при давлениях 0,1–5 МПа, материалом катода в них служит либо вольфрам, либо графит (материал катода определяет атмосферу в реакторе и возможные загрязнения продукта). Высокочастотные (ВЧ) плазмотроны в свою очередь делятся на индукционные (ВЧИ), емкостные (ВЧЕ) и сверхвысокочастотные (СВЧ). ВЧ-плазмотроны работают в диапазоне частот 0,2–40 МГц, мощности разряда 0,2 кВт–3 МВт, расходе плазмообразующего газа до 0,3 кг/c. Главная особенность ВЧ-плазмотрона – отсутствие загрязняющих веществ при образовании плазмы (разряд безэлектродный), широкие возможности в выборе плазмообразующего газа и высокий ресурс работы.
[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть картинку ] Рис. 3.1 Структурная схема плазмохимического реактора: 1 – источник электропитания; 2 – плазмотрон;3 – плазмообразующий газ; 4 – сырье; 5 – смесительное устройство и реакционная камера;6 – система охлаждения стенок реакционной камеры;7 – закалочное устройство (система принудительного охлаждения продуктов реакции);8 – блок разделения продуктов реакции; 9 – целевой продукт;10 – побочные продукты
Реакторы с ВЧ-плазмотронами конструктивно имеют следующие особенности: 1) сырье всегда подается в смеси с транспортирующим газом, в качестве которого обычно используют плазмообразующий газ (чтобы не загрязнять реакционную смесь); 2) плазмообразующий газ подают в ВЧ-плазмотрон с помощью специального завихрителя, который направляет струи газа тангенциально вдоль кварцевых стенок плазмотрона и реактора (для их охлаждения и снижения скорости контаминации).
4 Генераторы
Генератор электрических колебаний высокой частоты- устройство, преобразующее энергию источника постоянного напряжения в энергию колебаний. Существуют генераторы с внешним возбуждением, в которых незатухающие колебания получают от внешнего источника, и генераторы с самовозбуждением (автогенераторы), для которых внешний источник не нужен. Колебания, получаемые в автогенераторах, называют автоколебаниями. Эти колебания могут быть гармоническими (синусоидальными) или релаксационными (несинусоидальными). Независимо от назначения автогенераторов, они должны удовлетворять следующим общим требованиям: иметь достаточно высокое постоянство (стабильность) частоты колебаний и выходной мощности, а также возможно близкую с синусоидальной форму выходного напряжения. Для выполнения этих требований в схемах автогенераторов применяют ряд специальных мер.
В простейшем случае высокочастотные колебания можно получать с помощью обычного колебательного контура. Предположим, что контур получил от постоянного источника некоторый первоначальный запас энергии. При этом в нем возникают свободные (собственные) затухающие колебания. Чтобы сделать их незатухающими, необходимо все время пополнять запас энергии в контуре, поскольку часть её, в процессе колебаний, необратимо преобразовать в тепло.
Возникновение колебаний в автогенераторе обусловлено присутствием в усилителе нелинейного элемента – ее амплитудной характеристики. При этом должно соблюдаться два условия:
Баланс амплитуд – произведение коэффициента усиления на коэффициент передачи обратной связи должно быть больше или равно 1.
Баланс фаз – если фаза сигнала, поданного на вход усилителя, совпадает с фазой сигнала на выходе цепи обратной связи.
Приведем примеры некоторых генераторов:
Рис.4.1. Принципиальная схема автогенератора с обратной емкостной связью.

Рис. 4.2 Обобщенная трехточечная схема автогенератора.

Изобразим структурную схему мощного ВЧ генератора(рис. 4.3).
13 EMBED Visio.Drawing.11 1415
Рис. 4.3 Структурная схема ВЧ генератора.
ЗГ- задающий генератор; УМ- усилитель мощности; КС- колебательная система; КЭП,КМП- концентратор электрического/магнитного поля; УИР- управление индикация регулировка.
5 Разработка УМ
При построении резонансных усилителей мощности необходимо обеспечить высокие значения кпд и выходной мощности, передаваемой в нагрузку. Для этого используется весь диапазон рабочих напряжений и токов усилительного элемента, работающего в схеме резонансного усилителя мощности. Резонансный контур. включенный в выходную цепь усилителя, настроен на частоту полезного сигнала. Возникающие при отсечке тока высшие гармоники отфильтровываются контуром, и в нагрузку поступает только полезный сигнал с минимальными нелинейными искажениями. Степень фильтрации высших гармоник зависит от добротности контура.
5.1 Прототип изделия
Рассмотрим схему прототипа изделия, данную заказчиком(рис 5.1.1). Рекомендован транзистор 2N7002(параметры транзистора отмечены в приложении А).Для дальнейших схем будем использовать этот же транзистор.

Рис.5.1.1 Прототип изделия
Снимем осциллограмму на входе, выходе резонансной системы, входе транзистора(рис 5.1.2).

Рис.5.1.2 Осциллограмма прототипа изделия.
Сигналы на выходе и входе резонансной системы не отличаются друг от друга.
5.2 Однотактная схема УМ.
Построим усилительный каскад на полевом транзисторе 2N7002 с резонансной системой из 1 LC-фильтра(рис. 5.2.1). Частота генератора 1.76 МГц. Параметры емкости и индуктивности резонансного звена рассчитываем исходя из частоты генератора(принимаем ее за резонансную).

Рис.5.2.1 Усилительный каскад с 1LC цепочкой.

Рассмотрим осциллограмму на нагрузке и на стоке транзистора

Рис.5.2.2 Осциллограмма усилительного каскада с 1 LC цепочкой.

Работа усилителя не стабильна, возникают скачки напряжения на входе резонансного звена. Выходной синусоидальный сигнал получается искаженным. Коэффициент усиления будет равен:
К=Uвых/Еп=120В/20В=6;
Подключим второе резонансное звено параллельно первому. Параметры элементов примем такими же, но последовательность элементов поменяем.

Рис. 5.2.3 Усилительный каскад с двумя фильтрами

При таком включении получаем полосовой фильтр, возникают две резонансные частоты 1.101 МГц и 2.834 МГц. Настраиваем генератор на первую резонансную частоту, снимаем осциллограмму(Рис. 5.2.4).


Рис.5.2.4 Осциллограмма на первой резонансной частоте(1.101 МГц).

Режим стабильный, плавная синусоида на выходе, больших выбросов напряжения на стоке транзистора не наблюдается(76В). Коэффициент усиления такой схемы УМ::
К=Uвых/Епит=600В/20В=30;

Настроим генератор на вторую резонансную частоту(2.834 МГц). Осциллограмма каскада настроенного на вторую резонансную частоту показана на рис. 5.2.5.

Рис.5.2.5 Осциллограмма на второй резонансной частоте.
Рассмотрим коэффициент усиления:
К=Uвых/Eп=270В/20В=13.5;
Коэффициент усиления уменьшился более чем в 2 раза, т.е следует использовать первую резонансную частоту(1.101 МГц).

5.3 Двухтактный усилитель с динамической нагрузкой и резонансным звеном.
Благодаря такому схемному решению в каскаде получается большое сопротивление связи при малых потерях на нем постоянного питающего напряжения.
Построим каскад с динамической нагрузкой в виде транзистора и диода, на выход подключим резонансное звено(рис. 5.3.1).


Рис.5.3.1 Двухтактный усилитель с динамической нагрузкой.
Рассмотрим осциллограмму на выходе, стоке транзистора Q1, затворе Q1(Рис 5.3.2).

Рис.5.3.2 Осциллограмма двухтактного усилителя с динамической нагрузкой.
На затвор транзистора подаем импульсный сигнал амплитудой 10В, скважностью 2, частотой 1.76Мгц. На стоке транзистора Q1 получаем импульсный сигнал амплитудой 20В. На выходе получаем синусоидальный сигнал амплитудой 400В.
Коэффициент передачи двухтактного каскада с активной нагрузкой получаем:
К=Uвых/Еп=400В/20В=20;
Коэффициент передачи двухтактного каскада с активной нагрузкой более чем в 3 раза превышает коэффициент передачи однотактного каскада с одним резонансным звеном
5.4 Двухтактный трансформаторный каскад с общей точкой.

В трансформаторных каскадах удается, как правило, получать лучшее согласование каскада и нагрузки, а также повышенную температурную стабильность. Они являются классическими схемами, обеспечивающими получение большой мощности. Их недостаток наличие громоздких трансформаторов и значительные частотные и нелинейные искажения, несмотря на то что содержание четных гармоник в выходном сигнале у двухтактных каскадов существенно понижено.

Далее рассмотрим двухтактный трансформаторный каскад с общей точкой и резонансной системой на выходе. Полная схема представлена на рис.5.4.1. Транзисторы возьмем 2N706,характеристики такого транзистора представлены в приложении. Параметры элементов резонансной системы берем исходя из частоты 1.76 Мгц (емкость-330пФ,индуктивность-24.8мкГн).

Рис.5.4.1 Двухтактный трансформаторный каскад.
Для исключения ошибок, при проектировании схемы, разберем процесс формирования данной схемы. Поставим в коллекторы транзисторов сопротивления вместо обмоток трансформатора(рис.5.4.2). Отследим процесс переключения транзисторов.

Рис.5.4.2 Двухтактный каскад
Из осциллограммы видно что напряжения на выходе транзисторов в противофазе. следовательно переключение проходит нормально.
Следующим шагом поставим первичную обмотку трансформатора вместо резисторов, отвод на источник питания осуществляем с равным количеством витков на каждый транзистор(рис. 5.4.3). Оценим показания прибора на вторичной обмотке трансформатора.


Рис.5.4.3 Двухтактный трансформаторный каскад.
Переключение транзисторов проходит нормально. На вторичной обмотке трансформатора наблюдаем импульсный сигнал амплитудой 2En.
Подключаем г-образную резонансную цепочку ко вторичной обмотке трансформатора(рис.5.4.4). Параметры индуктивности и емкости возьмем для частоты резонанса 1.76 МГц, что составляет 330пФ для емкости, и 24.8 мкГн для индуктивности.

Рис.5.4.4 Двухтактный трансформаторный каскад с одиночной резонансной системой на выходе.

На выходе получаем синусоиду амплитудой 380В. Коэффициент усиления в таком случае составляет:
К=Uвых/Еп=380В/20В=19;

Добавляем еще один резонансный контур, но с дополнительной подстраиваемой емкостью(Рис 5.4.5). Элементы для второго резонансного контура выбираем для частоты резонанса 1.76 МГц, емкости нагрузки 80 пФ - индуктивность примем 150 мкГн, емкость – 176 пФ(в схему поставим подстраиваемую емкость 342 пФ с 50% уменьшением).


Рис.5.4.5 Полная схема двухтактного трансформаторного усилителя.

Добавление второго резонансного контура повлияло на частоту резонанса, появилось две резонансные частоты(1.44 МГц и 2.14 МГц), на которые придется подстраиваться, чтобы не получать искажения сигналов. При не настроенном контуре получаем высокие выбросы напряжения на коллекторе транзисторов(сотни вольт). При подстроенной частоте генератора на резонансную, получаем увеличение выходного напряжения в 1.5 раза. Коэффициент усиления такого УМ составляет:
К1=Uвых/Еп=640В/20В=32;
Попробуем настроить емкость резонансного контура с помощью подстраиваемого конденсатора С7. Увеличение емкости дает увеличение в коэффициенте усиления:
К2=U2 вых/Еп=860В/20В=43, С7= 704 пФ.
Увеличивая емкость резонансной системы, мы уменьшаем резонансную частоту, система получается не настроенной, возникают выбросы напряжения на коллекторе транзисторов порядка сотни вольт.
Понизив частоту генератора до резонансной(для С7=704 пФ , f=1.3 мГц) получаем коэффициент усиления К3=920/20=46;

Выводы
Разработка схем в программе «Multisim» обеспечивает экономию времени и ресурсов, так как возможно допускать ошибки, без последствий, при проектировании. Пошаговое включение в схему элементов, узлов, и исследование их влияния на схему- исключает возникновение ошибок в процессе проектирования.
В результате практики было выявлено что оптимальной структурой выходного каскада УМ ВЧ генератора является двухтактная трансформаторная резонансная структура. Такая структура обеспечивает высокий коэффициент усиления, стабильность работы, упрощает согласование с нагрузкой.
Список использованных источников
Кинетика и термодинамика химических реакций в низкотемпературной плазме, под ред. Л. С. Полака, М., 1965; Очерки физики и химии низкотемпературной плазмы, под ред. Л. С. Полака, М., 1971;
Пархоменко В.Д., Цибулев П.Н., Краснокутский Ю.И. Технология плазмохимических производств: Учеб. пособие. Киев: Вища шк., 1991. 255 с.
Удалов Ю.П., Гавриленко И.Б. Расчет плазмохимического реактора и закалочного устройства для синтеза газообразных продуктов и функциональных порошков: Учеб. пособие. СПб.: РТП ИК «Синтез», 2002. 40 с.
Шуцкой К.А. Транзисторные усилители высокой частоты. М.: Энергия, 1967.
Гальперин М. В. Практическая схемотехника в промышленной автоматике. М.: Энергоатомиздат, 1987.
Расчет электронных схем./Г. И. Изъюрова, Г. В. Королев, В. А. Терехов и др. М.: Высшая школа, 1987.
У. Титце, К. Шенк. Полупроводниковая схемотехника. М.: Мир, 1983.
Полупроводниковые приборы. Транзисторы средней и большой мощности: Справочник/А. А. Зайцев, А. И. Миркин, В. Мокряков и др. Под ред. А. В. Голомедова. М.: Радио и связь, 1989.
Шинаков Ю.С., Колодяжный Ю.М. Теория передачи сигналов электросвязи: Учебник для техникумов. -М.: Радио и связь.1989.-288 с.: ил.
Вайсбург Ф.И., Панаев Г.А., Савельев Б.Н. Электронные усилители и приборы. Учебник для техникумов. –М.: Радио и связь.1987.-472 с.: ил.
Добротворский И.Н. Теория электрических цепей: Учебник для техникумов. -М.: Радио и связь.1989.-472 с.: ил.
Гусев И.Г., Гусев В.М. Электроника: Учебное пособие. - М.: Высш.шк., 1991.- 662 с
Приложение А
Спецификация транзистора 2N7002
Производитель: NXP
Категория продукта: МОП-транзистор
RoHS: Соответствует RoHS Подробности
Торговая марка: NXP Semiconductors
Id - непрерывный ток утечки: 300 mA
Vds - напряжение пробоя сток-исток: 60 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток: 2.8 Ohms
Полярность транзистора: N-Channel
Vds - напряжение пробоя затвор-исток: 30 V
Максимальная рабочая температура: + 150 C
Pd - рассеивание мощности: 830 mW
Вид монтажа: SMD/SMT
Упаковка / блок: SOT-23-3
Упаковка: Reel
Канальный режим: Enhancement
Конфигурация: Single
Минимальная рабочая температура: - 65 C
Размер фабричной упаковки: 3000
Другие названия товара №: 2N7002 T/R

Спецификация транзистора 2N706
Исходный полупроводниковый материал, на основе которого изготовлен транзистор: кремний (Si) Структура полупроводникового перехода: npn
Pc max
Ucb max
Uce max
Ueb max
Ic max
Tj max, °C
Ft max
Cc tip
Hfe

360mW
25V
20V
3V
200mA
200°C
200MHz
6
20MIN

Производитель: STE Сфера применения: Low Power, Switching, High Frecvency Популярность: 1389
Общий вид транзистора 2N706.
Цоколевка транзистора 2N706.

[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть картинку ]
[ Cкачайте файл, чтобы посмотреть картинку ]

Обозначение контактов: Международное: C - коллектор, B - база, E - эмиттер. Российское: К - коллектор, Б - база, Э - эмиттер.









13PAGE 15


13PAGE 15





13PAGE 15


13PAGE 141615









Рисунок 2Root Entry

Приложенные файлы

  • doc 391129
    Размер файла: 2 MB Загрузок: 0

Добавить комментарий